NTD5C446NT4G, MOSFET T6 40V SL DPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NTD5C446NT4G
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET МОП-транзисторы среднего напряжения с каналом N-канала Trench6 onsemi МОП-транзисторы среднего напряжения с каналом N-канала Trench6 представляют собой полевые МОП-транзисторы на 30, 40 и 60 В, произведенные с использованием передового процесса Power Trench, включающего технологию экранированного затвора. Этот процесс был оптимизирован, чтобы минимизировать сопротивление в открытом состоянии и при этом сохранить превосходные характеристики...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
930
+
Бонус: 18.6 !
Бонусная программа
Итого: 930
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET МОП-транзисторы среднего напряжения с каналом N-канала Trench6 onsemi МОП-транзисторы среднего напряжения с каналом N-канала Trench6 представляют собой полевые МОП-транзисторы на 30, 40 и 60 В, произведенные с использованием передового процесса Power Trench, включающего технологию экранированного затвора. Этот процесс был оптимизирован, чтобы минимизировать сопротивление в открытом состоянии и при этом сохранить превосходные характеристики переключения с лучшими в своем классе диодами с мягким корпусом.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time:17 ns
forward transconductance - min:100 S
id - continuous drain current:110 A
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+175 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:DPAK-3
packaging:Reel, Cut Tape
pd - power dissipation:66 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:34.3 nC
qualification:AEC-Q101
rds on - drain-source resistance:2.9 mOhms
rise time:62 ns
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:43 ns
typical turn-on delay time:20 ns
vds - drain-source breakdown voltage:40 V
вес, г0.36
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль