NTD3055L104-1G — купить | ООО «Телеметрия» 


NTD3055L104-1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
160
- +
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты

► Купить NTD3055L104-1G в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Цена: 160 руб.

Почему выбирают нас:

  • ✓ Оригинальная продукция
  • ✓ Быстрая доставка по Москве и России
  • ✓ Гарантия качества
  • ✓ Консультация специалиста

Заказать: +7 (929) 433-44-45

Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
eccn (us)ear99
eu rohsCompliant with Exemption
hts8541.29.00.95
lead shapeThrough Hole
maximum continuous drain current (a)12
maximum drain source resistance (mohm)104@5V
maximum drain source voltage (v)60
maximum gate source voltage (v)±15
maximum gate threshold voltage (v)2
maximum operating temperature (°c)175
maximum power dissipation (mw)48000
militaryNo
minimum operating temperature (°c)-55
mountingThrough Hole
number of elements per chip1
package height6.35(Max)
package length6.73(Max)
package width2.38(Max)
packagingTube
part statusactive
pcb changed3
pin count3
product categoryPower MOSFET
standard package nameTO-251
supplier packageIPAK
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
typical fall time (ns)40.5
typical gate charge @ vgs (nc)7.4@5V
typical input capacitance @ vds (pf)316@25V
typical output capacitance (pf)105
typical reverse recovery charge (nc)40
typical rise time (ns)104
typical turn-off delay time (ns)19
typical turn-on delay time (ns)9.2
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль