Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор NMOS 60V 2.7 MOHM

Подробное описание

2 070 ₽

– +

Бонус: 41.4 !

Бонусная программа

Итого: 2 070 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	110 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	176 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	110 nC
размер фабричной упаковки	800
rds вкл - сопротивление сток-исток	2.7 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	36 ns
типичное время задержки выключения	36 ns
тип продукта	MOSFET
торговая марка	ON Semiconductor
упаковка / блок	TO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	52 ns
время спада	13 ns

Отзывов нет

Кнопки

NTBS2D7N06M7