NDD03N60Z-1G, Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NDD03N60Z-1G
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
44
+
Бонус: 0.88 !
Бонусная программа
Итого: 44
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
lead shapeThrough Hole
maximum continuous drain current (a)2.6
maximum drain source resistance (mohm)3600@10V
maximum drain source voltage (v)600
maximum gate source voltage (v)30
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)61000
militaryNo
minimum operating temperature (°c)-55
mountingThrough Hole
number of elements per chip1
package height6.35(Max)
package length6.73(Max)
package width2.38(Max)
packagingTube
part statusObsolete
pcb changed3
pin count3
product categoryPower MOSFET
standard package nameTO-251
supplier packageIPAK
tabTab
typical fall time (ns)10
typical gate charge @ 10v (nc)12
typical gate charge @ vgs (nc)12@10V
typical input capacitance @ vds (pf)312@25V
typical rise time (ns)8
typical turn-off delay time (ns)16
typical turn-on delay time (ns)9
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль