MVGSF1N02LT1G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 20 В, 750 мА, 0.075 Ом, SOT-23, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MVGSF1N02LT1G
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.075Ом
количество выводов3вывод(-ов)
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.075Ом
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds20В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока750мА
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs1.7В
power dissipation400мВт
рассеиваемая мощность400мВт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.075Ом
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораSOT-23
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вес, г0.4
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль