Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.075Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

180 ₽

- +

Бонус: 3.6 !

Бонусная программа

Итого: 180 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.075Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	20В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	750мА
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	1.7В
power dissipation	400мВт
рассеиваемая мощность	400мВт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.075Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	SOT-23
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вес, г	0.4

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

MVGSF1N02LT1G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 20 В, 750 мА, 0.075 Ом, SOT-23, Surface Mount