Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet, 6 каналов N (3-фазный мост) 1200 В (1,2 кВ) 251A (Tc) 1,042 кВт (Tc) Монтаж на шасси SP6-P

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	MSCSM120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	251A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1200V (1.2kV)

Все характеристики

188 900 ₽

– +

Бонус: 3778 !

Бонусная программа

Итого: 188 900 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
base product number	MSCSM120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	251A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1200V (1.2kV)
eccn	EAR99
fet feature	Silicon Carbide (SiC)
fet type	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
gate charge (qg) (max) @ vgs	696nC @ 20V
htsus	8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	9060pF @ 1000V
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	Module
power - max	1.042kW (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	10.4mOhm @ 120A, 20V
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	SP6-P
vgs(th) (max) @ id	2.8V @ 3mA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

MSCSM120TAM11CTPAG