Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet 2 канала N (фаза) 1200 В (1,2 кВ) 805A (Tc) 3,215 кВт (Tc) Монтаж на шасси SP6C LI
Вес и габариты
base product number
MSCSM120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c
805A (Tc)
drain to source voltage (vdss)
1200V (1.2kV)
eccn
EAR99
fet feature
Silicon Carbide (SiC)
fet type
2 N Channel (Phase Leg)
gate charge (qg) (max) @ vgs
2320nC @ 20V
htsus
8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds
30200pF @ 1kV
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
mounting type
Chassis Mount
operating temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package
Tube
package / case
Module
power - max
3.215kW (Tc)
rds on (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 400A, 20V
rohs status
ROHS3 Compliant
supplier device package
SP6C LI
vgs(th) (max) @ id
2.8V @ 10mA
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26