MSCSM120AM03CT6LIAG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet 2 канала N (фаза) 1200 В (1,2 кВ) 805A (Tc) 3,215 кВт (Tc) Монтаж на шасси SP6C LI
Вес и габариты
base product numberMSCSM120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c805A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V (1.2kV)
233 200
+
Бонус: 4664 !
Бонусная программа
Итого: 233 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet 2 канала N (фаза) 1200 В (1,2 кВ) 805A (Tc) 3,215 кВт (Tc) Монтаж на шасси SP6C LI
Вес и габариты
base product numberMSCSM120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c805A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V (1.2kV)
eccnEAR99
fet featureSilicon Carbide (SiC)
fet type2 N Channel (Phase Leg)
gate charge (qg) (max) @ vgs2320nC @ 20V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds30200pF @ 1kV
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseModule
power - max3.215kW (Tc)
rds on (max) @ id, vgs3.1mOhm @ 400A, 20V
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSP6C LI
vgs(th) (max) @ id2.8V @ 10mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль