Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	MSC080 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	37A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1200V

3 140 ₽

– +

Бонус: 62.8 !

Бонусная программа

Итого: 3 140 ₽

Купить

Вес и габариты
base product number	MSC080 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	37A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1200V
drive voltage (max rds on, min rds on)	20V
eccn	EAR99
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	64nC @ 20V
htsus	8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	838pF @ 1000V
категория продукта	МОП-транзистор
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-247-4
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
power dissipation (max)	200W (Tc)
размер фабричной упаковки	1
rds on (max) @ id, vgs	100mOhm @ 15A, 20V
rds вкл - сопротивление сток-исток	80 mOhms
supplier device package	TO-247-4
technology	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
технология	SiC
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Microchip Technology
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-247-4
vds - напряжение пробоя сток-исток	1.2 kV
vgs (max)	+23V, -10V
vgs(th) (max) @ id	2.8V @ 1mA
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

MSC080SMA120B4