MMIX1T600N04T2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V 600A
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeN
forward diode voltage1.2V
9 200
+
Бонус: 184 !
Бонусная программа
Итого: 9 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 40V 600A
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeN
forward diode voltage1.2V
id - непрерывный ток утечки600 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHiPerFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
maximum continuous drain current600 A
maximum drain source resistance1.3 mΩ
maximum drain source voltage40 V
maximum gate source voltage-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage3.5V
maximum operating temperature+175 C
maximum power dissipation830 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSMPD
pd - рассеивание мощности830 W
pin count24
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора590 nC
размер фабричной упаковки20
rds вкл - сопротивление сток-исток1.3 mOhms
seriesGigaMOS, HiperFET
серияMMIX1T600N04
технологияSi
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
transistor configurationSingle
transistor materialSi
typical gate charge @ vgs590 nC 10 V
упаковкаTube
упаковка / блокSMPD-24
vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
вес, г8
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
вид монтажаSMD/SMT
width23.25mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль