MMBF4392LT1G, Транзистор N-JFET, полевой, 225мВт, SOT23, 50мА

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MMBF4392LT1G
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Вес и габариты
automotiveNo
channel typeN
configurationSingle
65
+
Бонус: 1.3 !
Бонусная программа
Итого: 65
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Вес и габариты
automotiveNo
channel typeN
configurationSingle
drain-source current at vgs=025 mA to 75 mA
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
hts8541.21.00.95
lead shapeGull-wing
manufacturerON Semiconductor
maximum drain gate voltage (v)30
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source voltage (v)30
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)225
militaryNo
minimum drain saturation current (ma)25
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
package height0.94
package length2.9
package width1.3
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pin count3
product categoryJFET
seriesMMBF4392L
standard package nameSOT
supplier packageSOT-23
transistor polarityN-Channel
typeJFET
vds - drain-source breakdown voltage30 V
вес, г0.02
vgs - gate-source breakdown voltage30 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль