MMBF2201NT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: SOT323, АБМОП-транзистор 20V 300mA N-Channel
Вес и габариты
длина2.1 mm
Высота 0.85 мм
id - непрерывный ток утечки300 mA
35
+
Бонус: 0.7 !
Бонусная программа
Итого: 35
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: SOT323, АБМОП-транзистор 20V 300mA N-Channel
Вес и габариты
длина2.1 mm
Высота 0.85 мм
id - непрерывный ток утечки300 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.450 mS
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности150 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
продуктMOSFET Small Signal
qg - заряд затвора1.4 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток1 Ohms
серияMMBF2201N
технологияSi
типичное время задержки при включении2.5 ns
типичное время задержки выключения15 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor
ТипMOSFET
упаковка / блокSOT-323-3
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
вес, г0.01
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания2.5 ns
время спада0.8 ns
Ширина1.24 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль