MMBF170-7-F, N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc MMBF170-7-F

Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств...

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel mode:	Enhancement
channel type	N

Все характеристики

11 ₽

– +

Бонус: 0.22 !

Бонусная программа

Итого: 11 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel mode:	Enhancement
channel type	N
configuration:	Single
continuous drain current (id) @ 25в°c	500mA
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
forward transconductance - min:	80 ms
id - continuous drain current:	500 mA
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum continuous drain current	500 mA
maximum drain source resistance	5.3 Ω
maximum drain source voltage	60 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage	3V
maximum operating temperature	+150 C
maximum operating temperature:	+150 C
maximum power dissipation	300 mW
minimum operating temperature	-55 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
number of channels:	1 Channel
number of elements per chip	1
package/case:	SOT-23-3
package type	SOT-23
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:	300 mW
pin count	3
power dissipation-max (ta=25в°c)	300mW
product:	MOSFET Small Signal
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
rds on - drain-source resistance	5О© @ 200mA,10V
rds on - drain-source resistance:	5 Ohms
series:	MMBF170
subcategory:	MOSFETs
technology:	Si
transistor configuration	Single
transistor material	Si
transistor polarity	N Channel
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
type:	Enhancement Mode Field Effect Transistor
typical turn-off delay time:	10 ns
typical turn-on delay time:	10 ns
vds - drain-source breakdown voltage	60V
vds - drain-source breakdown voltage:	60 V
вес, г	9
vgs - gate-source voltage	3V @ 250uA
vgs - gate-source voltage:	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	800 mV
width	1.4mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

MMBF170-7-F, N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc MMBF170-7-F