MJF45H11G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 10А, 36Вт, TO220FP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MJF45H11G
Биполярные транзисторы - BJT 10A 80V 50W PNP
Вес и габариты
длина10.63 mm (Max)
Высота 9.24 м
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 10A 80V 50W PNP
Вес и габариты
длина10.63 mm (Max)
Высота 9.24 м
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора10 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
непрерывный коллекторный ток10 A
pd - рассеивание мощности36 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)40 MHz
размер фабричной упаковки50
серияMJF45H11
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
вес, г3
вид монтажаThrough Hole
Ширина4.9 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль