MJE13007

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor MJE13007
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:14MHz; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:4hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Application Code:PHVS; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.5V; Continuous Collector Current Ic Max:8A; Current Ic @ Vce Sat:5A; Current Ic Continuous a Max:5A; Current Ic hFE:5mA; Fall Time @ Ic:700ms; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:4MHz; Gain Bandwidth ft Typ:14MHz; Hfe Min:5; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:80W; Voltage Vcbo:10VDC; Voltage Vces:700V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo700 V
collector-emitter saturation voltage1 V
collector- emitter voltage vceo max400 V
configurationSingle
continuous collector current8 A
dc collector/base gain hfe min8
emitter- base voltage vebo9 V
factory pack quantity50
gain bandwidth product ft14 MHz
height15.75 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.53 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage700 V
maximum collector emitter voltage400 V
maximum dc collector current8 A
maximum emitter base voltage9 V
maximum operating frequency1 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation80 W
minimum dc current gain5
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-220-3
package typeTO-220AB
packagingTube
партномер8015563581
pd - power dissipation80 W
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesMJE13007
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
unit weight0.211644 oz
Время загрузки1:33:35
width4.83 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль