Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые модулиДискретные полупроводниковые модули MCB40P1200LB-TUB

Подробное описание

Вес и габариты
california prop 65	Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c	58A
drain to source voltage (vdss)	1200V (1.2kV)

Все характеристики

45 670 ₽

– +

Бонус: 913.4 !

Бонусная программа

Итого: 45 670 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
california prop 65	Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c	58A
drain to source voltage (vdss)	1200V (1.2kV)
eccn	EAR99
fet feature	Silicon Carbide (SiC)
fet type	2 N-Channel (Dual) Common Source
htsus	8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки	58 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
конфигурация	Dual
mounting type	Surface Mount
package	Tube
package / case	9-SMD Power Module
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
полярность транзистора	N-Channel
продукт	Power MOSFET Modules
размер фабричной упаковки	20
reach status	REACH Unaffected
series	CoolMOSв„ў ->
supplier device package	SMPD
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	IXYS
Тип	SIC MOS
упаковка	Tube
упаковка / блок	SMPD-10
vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
вес, г	10
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки