Валюта:RUB
RUBUSDEURCNY
Язык:USRU
+7 929 433 4445 B2B Заявки на email

telemetrya@yandex.ru

0
Смотрели
Войти
0
Избранное
Товар добавлен в список избранных
0
Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0
Корзина
Товар добавлен в корзину!

L2N7002LT1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
L2N7002LT1G
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Подробное описание
Вес и габариты
power dissipation-max (ta=25°c)300mW
rds on - drain-source resistance7.5Ω 500mA, 10V
transistor polarityN Channel
Все характеристики
3 ₽
– +
Бонус: 0.06 !
Бонусная программа
Итого: 3 ₽
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
power dissipation-max (ta=25°c)300mW
rds on - drain-source resistance7.5Ω 500mA, 10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage60V
vgs - gate-source voltage2V 250uA
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
  • Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
    Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
    ИНН 7536172565
    КПП 381201001
    ОГРН 1187536004215
    Расчетный счет 40702810010000426573
    Банк АО «Тинькофф Банк»
    БИК банка 044525974
    ИНН банка 7710140679
    Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
    Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

    • Кнопки
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
0Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0Избранное
Товар добавлен в список избранных
Профиль