IXTT6N120

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Вес и габариты
длина14 mm
Высота 5.1 мм
id - непрерывный ток утечки6 A
3 060
+
Бонус: 61.2 !
Бонусная программа
Итого: 3 060
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Вес и габариты
длина14 mm
Высота 5.1 мм
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности300 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора56 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток2.6 Ohms
серияIXTT6N120
технологияSi
типичное время задержки при включении28 ns
типичное время задержки выключения42 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипHigh Voltage Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-268-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания33 ns
время спада18 ns
Ширина16.05 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль