IXTT2N170D2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 1700V 2A
Вес и габариты
длина14 mm
Высота 5.1 мм
id - непрерывный ток утечки2 A
6 220
+
Бонус: 124.4 !
Бонусная программа
Итого: 6 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 1700V 2A
Вес и габариты
длина14 mm
Высота 5.1 мм
id - непрерывный ток утечки2 A
категория продуктаМОП-транзистор
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.4 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности568 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора110 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток6.5 Ohms
серияIXTT2N170
технологияSi
типичное время задержки при включении28 ns
типичное время задержки выключения33 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
ТипDepletion Mode MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-268-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1.7 kV
вес, г6.5
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания58 ns
время спада106 ns
Ширина16.05 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль