IXTT10N100D2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор D2 Depletion Mode Power МОП-транзисторs
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимDepletion
категория продуктаМОП-транзистор
4 520
+
Бонус: 90.4 !
Бонусная программа
Итого: 4 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор D2 Depletion Mode Power МОП-транзисторs
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимDepletion
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
серияIXTT10N100
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-268-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
вес, г6.5
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль