IXTT02N450HV
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 4500 В 200 мА (Tc) 113 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-268
| Вес и габариты | |
| california prop 65 | Warning Information |
| чувствительный к влажности | Yes |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 200mA (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 4500V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 10.4nC @ 10V |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 256pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 90 mS |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 3 (168 Hours) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| pd - рассеивание мощности | 113 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 113W (Tc) |
| qg - заряд затвора | 10.6 nC |
| размер фабричной упаковки | 30 |
| rds on (max) @ id, vgs | 750Ohm @ 10mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 625 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | IXTT02N450 |
| supplier device package | TO-268 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 17 ns |
| типичное время задержки выключения | 28 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | IXYS |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-268-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 4.5 kV |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 6.5V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 48 ns |
| время спада | 143 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
