IXTR102N65X2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки54 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
4 790
+
Бонус: 95.8 !
Бонусная программа
Итого: 4 790
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки54 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHiPerFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности330 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
продуктPower MOSFET Modules
qg - заряд затвора152 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток33 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении37 ns
типичное время задержки выключения67 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
ТипX2-Class
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г5
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания28 ns
время спада11 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль