IXTQ82N25P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity30
2 280
- +
Бонус: 45.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты

► Купить IXTQ82N25P в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Цена: 2 280 руб.

Почему выбирают нас:

  • ✓ Оригинальная продукция
  • ✓ Быстрая доставка по Москве и России
  • ✓ Гарантия качества
  • ✓ Консультация специалиста

Заказать: +7 (929) 433-44-45

Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity30
fall time22 ns
id - continuous drain current82 A
manufacturerIXYS
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleThrough Hole
number of channels1 Channel
package / caseTO-3P-3
packagingTube
pd - power dissipation500 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance35 mOhms
rise time20 ns
seriesIXTQ82N25
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time78 ns
typical turn-on delay time29 ns
vds - drain-source breakdown voltage250 V
вес, г5.5
vgs - gate-source voltage20 V
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль