IXTQ30N60L2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30 Amps 600V
Вес и габариты
длина15.8 mm
Высота 20.3 мм
id - непрерывный ток утечки30 A
4 480
+
Бонус: 89.6 !
Бонусная программа
Итого: 4 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30 Amps 600V
Вес и габариты
длина15.8 mm
Высота 20.3 мм
id - непрерывный ток утечки30 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеLinear L2
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.10 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности540 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора335 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток240 mOhms
серияIXTQ30N60
технологияSi
типичное время задержки при включении43 ns
типичное время задержки выключения123 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипLinear L2 Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г1.6
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания65 ns
время спада43 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль