IXTQ100N25P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100 Amps 250V 0.027 Rds
Вес и габариты
длина15.8 mm
Высота 20.3 мм
id - непрерывный ток утечки100 A
2 910
+
Бонус: 58.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 910
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100 Amps 250V 0.027 Rds
Вес и габариты
длина15.8 mm
Высота 20.3 мм
id - непрерывный ток утечки100 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPolarHT
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.40 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности600 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора185 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток27 mOhms
серияIXTQ100N25
технологияSi
типичное время задержки при включении25 ns
типичное время задержки выключения100 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипPolarHT Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P-3
vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
вес, г5.5
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания26 ns
время спада28 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль