IXTP8N65X2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки8 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
620
+
Бонус: 12.4 !
Бонусная программа
Итого: 620
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки8 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHiPerFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.8 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности150 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора12 nC
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток500 mOhms
серияX2-Class
технологияSi
типичное время задержки при включении24 ns
типичное время задержки выключения53 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г0.35
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания28 ns
время спада24 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль