Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 86 Amps 200V 29 Rds

Подробное описание

1 590 ₽

– +

Бонус: 31.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 590 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	10.66 mm
Высота	16 мм
id - непрерывный ток утечки	86 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	46 S
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	480 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	90 nC
размер фабричной упаковки	50
rds вкл - сопротивление сток-исток	29 mOhms
серия	IXTP86N20
технология	Si
типичное время задержки при включении	22 ns
типичное время задержки выключения	52 ns
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
Тип	Trench Gate Power MOSFET
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
вес, г	2.3
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	24 ns
время спада	29 ns
Ширина	4.83 мм

Отзывов нет

Кнопки

IXTP86N20T