Name: IXTP75N10P, N-Channel MOSFET, 75 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IXTP75N10P
Brand: IXYS
SKU: IXTP75N10P

MOSFETs N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Подробное описание

Бренд: IXYS

Основные
Производитель	IXYS
Вес и габариты
число контактов	3
Высота	9.15 мм

Все характеристики

240 ₽

– +

Бонус: 4.8 !

Бонусная программа

Итого: 240 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
Производитель	IXYS
Вес и габариты
число контактов	3
Высота	9.15 мм
категория	Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис	1
максимальная рабочая температура	+175 °C
максимальное напряжение сток-исток	100 В
максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности	360 W
максимальное сопротивление сток-исток	25 mΩ
максимальный непрерывный ток стока	75 A
материал транзистора	Кремний
maximum gate threshold voltage	5.5V
минимальная рабочая температура	-55 °C
номер канала	Поднятие
серия	HiperFET, Polar
типичная входная емкость при vds	2250 пФ при 25 В
типичное время задержки включения	27 нс
типичное время задержки выключения	66 нс
типичный заряд затвора при vgs	74 нКл при 10 В
тип канала	N
тип корпуса	TO-220
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
transistor configuration	Одинарный
вес, г	2

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки