IXTP62N15P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 150V 62A (Tc) 350W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
ПроизводительIXYS
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
число контактов3
1 210
+
Бонус: 24.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 150V 62A (Tc) 350W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
ПроизводительIXYS
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
число контактов3
current - continuous drain (id) @ 25в°c62A (Tc)
длина10.66мм
drain to source voltage (vdss)150V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs70nC @ 10V
Высота 9.15 мм
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки62 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds2250pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категорияМощный МОП-транзистор
категория продуктаМОП-транзистор
количество элементов на ис1
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток150 В
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности350 Вт
максимальное сопротивление сток-исток40 мΩ
максимальный непрерывный ток стока62 А
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage5.5V
минимальная рабочая температура-55 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
номер каналаПоднятие
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
pd - рассеивание мощности350 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)350W (Tc)
размеры10.66 x 4.83 x 9.15мм
размер фабричной упаковки50
rds on (max) @ id, vgs40mOhm @ 31A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток40 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesPolarHTв„ў ->
серияHiperFET, Polar
supplier device packageTO-220AB
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичная входная емкость при vds2250 пФ при 25 В
типичное время задержки при включении27 ns
типичное время задержки включения27 нс
типичное время задержки выключения76 нс
типичный заряд затвора при vgs70 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаTO-220
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
transistor configurationОдинарный
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток150 V
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs(th) (max) @ id5.5V @ 250ВµA
вид монтажаThrough Hole
время нарастания38 ns
время спада35 ns
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль