- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 150V 62A (Tc) 350W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные | |
Производитель | IXYS |
Вес и габариты | |
california prop 65 | Warning Information |
число контактов | 3 |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 62A (Tc) |
длина | 10.66мм |
drain to source voltage (vdss) | 150V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
eccn | EAR99 |
fet type | N-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 70nC @ 10V |
Высота | 9.15 мм |
htsus | 8541.29.0095 |
id - непрерывный ток утечки | 62 A |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 2250pF @ 25V |
канальный режим | Enhancement |
категория | Мощный МОП-транзистор |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество элементов на ис | 1 |
количество каналов | 1 Channel |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | +175 °C |
максимальное напряжение сток-исток | 150 В |
максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
максимальное рассеяние мощности | 350 Вт |
максимальное сопротивление сток-исток | 40 мΩ |
максимальный непрерывный ток стока | 62 А |
материал транзистора | Кремний |
maximum gate threshold voltage | 5.5V |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Through Hole |
номер канала | Поднятие |
operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
package | Tube |
package / case | TO-220-3 |
pd - рассеивание мощности | 350 W |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | N-Channel |
power dissipation (max) | 350W (Tc) |
размеры | 10.66 x 4.83 x 9.15мм |
размер фабричной упаковки | 50 |
rds on (max) @ id, vgs | 40mOhm @ 31A, 10V |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
reach status | REACH Unaffected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | PolarHTв„ў -> |
серия | HiperFET, Polar |
supplier device package | TO-220AB |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
технология | Si |
типичная входная емкость при vds | 2250 пФ при 25 В |
типичное время задержки при включении | 27 ns |
типичное время задержки включения | 27 нс |
типичное время задержки выключения | 76 нс |
типичный заряд затвора при vgs | 70 нКл при 10 В |
тип канала | N |
тип корпуса | TO-220 |
тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
тип продукта | MOSFET |
тип транзистора | 1 N-Channel |
торговая марка | IXYS |
transistor configuration | Одинарный |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-220-3 |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
vgs (max) | В±20V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
vgs(th) (max) @ id | 5.5V @ 250ВµA |
вид монтажа | Through Hole |
время нарастания | 38 ns |
время спада | 35 ns |
Ширина | 4.83 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26