IXTP50N20P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 200В, 50А, 360Вт, TО220

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTP50N20P
N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Основные
ПроизводительIXYS
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
число контактов3
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Основные
ПроизводительIXYS
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
число контактов3
current - continuous drain (id) @ 25в°c50A (Tc)
длина10.66мм
drain to source voltage (vdss)200V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs70nC @ 10V
Высота 9.15 мм
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds2720pF @ 25V
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток200 В
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности360 W
максимальное сопротивление сток-исток60 МОм
максимальный непрерывный ток стока50 A
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage5.5V
минимальная рабочая температура-55 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
номер каналаПоднятие
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
power dissipation (max)360W (Tc)
размеры10.66 x 4.83 x 9.15мм
rds on (max) @ id, vgs60mOhm @ 50A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesPolarHTв„ў ->
серияHiperFET, Polar
supplier device packageTO-220AB
technologyMOSFET (Metal Oxide)
типичная входная емкость при vds2720 пФ при 25 В
типичное время задержки включения26 ns
типичное время задержки выключения70 нс
типичный заряд затвора при vgs70 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаTO-220
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
transistor configurationОдинарный
вес, г2.06
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль