IXTP4N80P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 3.5 Amps 800V 3 Rds
Вес и габариты
длина10.66 mm
Высота 9.15 мм
id - непрерывный ток утечки3.5 A
730
+
Бонус: 14.6 !
Бонусная программа
Итого: 730
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 3.5 Amps 800V 3 Rds
Вес и габариты
длина10.66 mm
Высота 9.15 мм
id - непрерывный ток утечки3.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности100 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток3 Ohms
серияIXTP4N80
технологияSi
типичное время задержки при включении22 ns
типичное время задержки выключения60 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
вес, г2.3
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания24 ns
время спада29 ns
Ширина4.82 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль