IXTP1R6N50D2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 1.6A
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки1.6 A
канальный режимDepletion
категория продуктаМОП-транзистор
790
+
Бонус: 15.8 !
Бонусная программа
Итого: 790
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 1.6A
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки1.6 A
канальный режимDepletion
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.75 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности100 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
продуктMOSFET
qg - заряд затвора23.7 nC
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток2.3 Ohms
серияIXTP1R6N50
технологияSi
типичное время задержки при включении25 ns
типичное время задержки выключения35 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г2.3
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания70 ns
время спада41 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль