Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 1.4 Amps 1000V 11 Rds

Подробное описание

800 ₽

– +

Бонус: 16 !

Бонусная программа

Итого: 800 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	10.66 mm
Высота	9.15 мм
id - непрерывный ток утечки	1.4 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	63 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	17.8 nC
размер фабричной упаковки	50
rds вкл - сопротивление сток-исток	11 Ohms
серия	IXTP1R4N100
технология	Si
типичное время задержки при включении	25 ns
типичное время задержки выключения	65 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	1 kV
вес, г	2.3
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	35 ns
время спада	28 ns
Ширина	4.83 мм

Отзывов нет

Кнопки

IXTP1R4N100P