IXTP10N60P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
Вес и габариты
длина10.41 mm
Высота 16 мм
id - непрерывный ток утечки10 A
1 020
+
Бонус: 20.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 020
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
Вес и габариты
длина10.41 mm
Высота 16 мм
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPolarHV
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.6 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности200 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора32 nC
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток740 mOhms
серияIXTP10N60
технологияSi
типичное время задержки при включении20 ns
типичное время задержки выключения55 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипPolarHV Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г2.3
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания24 ns
время спада18 ns
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль