IXTP08N100P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 0.8 Amps 1000V 20 Rds
Вес и габариты
длина10.66 mm
Высота 9.15 мм
id - непрерывный ток утечки800 mA
740
+
Бонус: 14.8 !
Бонусная программа
Итого: 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 0.8 Amps 1000V 20 Rds
Вес и габариты
длина10.66 mm
Высота 9.15 мм
id - непрерывный ток утечки800 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности42 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток20 Ohms
серияIXTP08N100
технологияSi
типичное время задержки при включении19 ns
типичное время задержки выключения35 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
вес, г2.3
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания37 ns
время спада34 ns
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль