Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторMOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds

Подробное описание

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	32 A
категория продукта	МОП-транзистор
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	32 S / 21 S

9 150 ₽

– +

Бонус: 183 !

Бонусная программа

Итого: 9 150 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	32 A
категория продукта	МОП-транзистор
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	32 S / 21 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	890 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	P-Channel
продукт	Power MOSFET
qg - заряд затвора	196 nC
размер фабричной упаковки	10
rds вкл - сопротивление сток-исток	350 mOhms
серия	IXTN32P60
технология	Si
типичное время задержки при включении	37 ns
типичное время задержки выключения	95 ns
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOT-227-4
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	30
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
вид монтажа	Chassis Mount
время нарастания	27 ns
время спада	33 ns

Отзывов нет

Кнопки

IXTN32P60P