IXTN110N20L2, МОП-транзистор, N Channel, 100 А, 200 В, 0.024 Ом, 10 В, 4.5 В

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTN110N20L2
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Модули МОП-транзисторовN-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications. • Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA• Designed for linear operation• Guaranteed FBSOA at 75°C• Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification• MiniBLOC with aluminium nitride isolation• Easy to mount• Space...
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.024Ом
максимальная рабочая температура150 C
9 630
+
Бонус: 192.6 !
Бонусная программа
Итого: 9 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Модули МОП-транзисторовN-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications.
• Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA• Designed for linear operation• Guaranteed FBSOA at 75°C• Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification• MiniBLOC with aluminium nitride isolation• Easy to mount• Space savings• High power density
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.024Ом
максимальная рабочая температура150 C
напряжение истока-стока vds200В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока100А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs4.5В
power dissipation735Вт
рассеиваемая мощность735Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.024Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль