IXTK210P10T

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор TrenchP Power МОП-транзисторs
Вес и габариты
длина19.96 mm
Высота 26.16 мм
id - непрерывный ток утечки210 A
7 340
+
Бонус: 146.8 !
Бонусная программа
Итого: 7 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор TrenchP Power МОП-транзисторs
Вес и габариты
длина19.96 mm
Высота 26.16 мм
id - непрерывный ток утечки210 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
коммерческое обозначениеTrenchP
крутизна характеристики прямой передачи - мин.90 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.04 kW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора740 nC
размер фабричной упаковки25
rds вкл - сопротивление сток-исток7.5 mOhms
серияIXTK210P10
технологияSi
типичное время задержки при включении90 ns
типичное время задержки выключения165 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
ТипTrenchP Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г7.5
vgs - напряжение затвор-исток15 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания98 ns
время спада55 ns
Ширина5.13 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль