IXTK140N20P, Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Channel, 200 В, 140 А, 0.018 Ом, TO-264, Through Ho

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTK140N20P
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThe IXTK140N20P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. • International standard packages• Unclamped inductive switching (UIS) rating• Low package inductance - Easy to drive and to protect• Easy to mount• Space saving
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.018Ом
количество выводов3вывод(-ов)
1 920
+
Бонус: 38.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 920
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThe IXTK140N20P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
• International standard packages• Unclamped inductive switching (UIS) rating• Low package inductance - Easy to drive and to protect• Easy to mount• Space saving
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.018Ом
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds200В
напряжение измерения rds(on)15В
непрерывный ток стока140А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation800Вт
рассеиваемая мощность800Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.018Ом
стиль корпуса транзистораTO-264
вес, г10
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль