IXTK120N65X2
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
| Основные | |
| Производитель | IXYS |
| Вес и габариты | |
| california prop 65 | Warning Information |
| число контактов | 3 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 120A (Tc) |
| длина | 20.3мм |
| drain to source voltage (vdss) | 650V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 240nC @ 10V |
| Высота | 5.3 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 13600pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | HiPerFET |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальное напряжение сток-исток | 650 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| максимальное рассеяние мощности | 1,25 кВт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 23 мОм |
| максимальный непрерывный ток стока | 120 А |
| материал транзистора | Кремний |
| maximum gate threshold voltage | 5V |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum gate threshold voltage | 3V |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| номер канала | Поднятие |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-264-3, TO-264AA |
| pd - рассеивание мощности | 1.25 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 1250W (Tc) |
| продукт | Power MOSFET Modules |
| прямая активная межэлектродная проводимость | 110S |
| прямое напряжение диода | 1.4V |
| qg - заряд затвора | 230 nC |
| размеры | 20.3 x 26.3 x 5.3мм |
| размер фабричной упаковки | 25 |
| rds on (max) @ id, vgs | 24mOhm @ 60A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | X2-Class |
| supplier device package | TO-264 (IXTK) |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичная входная емкость при vds | 13,6 нФ при 25 В |
| типичное время задержки при включении | 32 ns |
| типичное время задержки включения | 32 нс |
| типичное время задержки выключения | 87 ns |
| типичный заряд затвора при vgs | 230 нКл при 10 В |
| тип канала | N |
| тип корпуса | TO-264P |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | IXYS |
| transistor configuration | Одинарный |
| Тип | X2-Class |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| вес, г | 10 |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4.5V @ 8mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 24 ns |
| время спада | 10 ns |
| Ширина | 26.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26