IXTK102N30P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 102 Amps 300V 0.033 Rds
Вес и габариты
длина20.29 mm
Высота 26.59 мм
id - непрерывный ток утечки102 A
3 880
+
Бонус: 77.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 880
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 102 Amps 300V 0.033 Rds
Вес и габариты
длина20.29 mm
Высота 26.59 мм
id - непрерывный ток утечки102 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPolarHT
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.45 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности700 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора224 nC
размер фабричной упаковки25
rds вкл - сопротивление сток-исток33 mOhms
серияIXTK102N30
технологияSi
типичное время задержки при включении30 ns
типичное время задержки выключения130 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипPolarHT Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
vds - напряжение пробоя сток-исток300 V
вес, г10
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания28 ns
время спада30 ns
Ширина5.31 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль