IXTH75N10L2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 75 А, 0.021 Ом, TO-247, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXTH75N10L2
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications. • Normally ON mode• Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)• Space savings• High power density
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.021Ом
количество выводов3вывод(-ов)
2 020
+
Бонус: 40.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 020
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
• Normally ON mode• Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)• Space savings• High power density
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.021Ом
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds100В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока75А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs4.5В
power dissipation400Вт
рассеиваемая мощность400Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.021Ом
стиль корпуса транзистораTO-247
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль