Name: IXTH6N100D2, MOSFET, N-CH, 1KV, 6A, TO-247
SKU: IXTH6N100D2

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	2.2Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

1 890 ₽

– +

Бонус: 37.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 890 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	2.2Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Through Hole
напряжение истока-стока vds	1кВ
напряжение измерения rds(on)	0В
непрерывный ток стока	6А
полярность транзистора	N Channel
пороговое напряжение vgs	4.5В
power dissipation	300Вт
рассеиваемая мощность	300Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	2.2Ом
стиль корпуса транзистора	TO-247
вес, г	7.91

Отзывов нет

Кнопки