IXTH52N65X

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 650V/9A Power МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки52 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
2 750
+
Бонус: 55 !
Бонусная программа
Итого: 2 750
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 650V/9A Power МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки52 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.25 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности660 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора113 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток68 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении26 ns
типичное время задержки выключения63 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г1.6
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания57 ns
время спада16 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль