IXTH3N200P3HV

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH STD-POLAR3
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
7 650
+
Бонус: 153 !
Бонусная программа
Итого: 7 650
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH STD-POLAR3
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPolar3
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности520 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
продуктPower MOSFET Modules
qg - заряд затвора70 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток8 Ohms
технологияSi
типичное время задержки при включении21 ns
типичное время задержки выключения67 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
ТипHigh Voltage
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток2 kV
вес, г6
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания27 ns
время спада60 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль