IXTH1N170DHV

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-STD
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки1 A
канальный режимDepletion
категория продуктаМОП-транзистор
4 040
+
Бонус: 80.8 !
Бонусная программа
Итого: 4 040
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-STD
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки1 A
канальный режимDepletion
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности290 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора47 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток16 Ohms
технологияSi
типичное время задержки при включении46 ns
типичное время задержки выключения130 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1.7 kV
вес, г6
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания38 ns
время спада216 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль