Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор High Voltage Power МОП-транзистор;2500V, 0.2A

Подробное описание

4 250 ₽

– +

Бонус: 85 !

Бонусная программа

Итого: 4 250 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	16.26 mm
Высота	21.46 мм
id - непрерывный ток утечки	200 mA
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	88 mS
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	83 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	7.4 nC
размер фабричной упаковки	30
rds вкл - сопротивление сток-исток	450 Ohms
серия	IXTH02N250
технология	Si
типичное время задержки при включении	19 ns
типичное время задержки выключения	32 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	IXYS
Тип	High Voltage Power MOSFET
упаковка / блок	TO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	2.5 kV
вес, г	6.5
vgs - напряжение затвор-исток	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	19 ns
время спада	33 ns
Ширина	5.3 мм

Отзывов нет

Кнопки

IXTH02N250