IXTA6N100D2HV

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-D2
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимDepletion
категория продуктаМОП-транзистор
3 150
+
Бонус: 63 !
Бонусная программа
Итого: 3 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-D2
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимDepletion
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.2.6 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности300 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора95 nC
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток2.2 Ohms
технологияSi
типичное время задержки при включении25 ns
типичное время задержки выключения34 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263HV-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания80 ns
время спада47 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль