IXTA1N120P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 1 Amps 1200V 20 Rds
Вес и габариты
длина9.9 mm
Высота 4.5 мм
id - непрерывный ток утечки1 A
1 290
+
Бонус: 25.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 1 Amps 1200V 20 Rds
Вес и габариты
длина9.9 mm
Высота 4.5 мм
id - непрерывный ток утечки1 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности63 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора17.6 nC
размер фабричной упаковки50
rds вкл - сопротивление сток-исток20 Ohms
серияIXTA1N120
технологияSi
типичное время задержки при включении20 ns
типичное время задержки выключения54 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания28 ns
время спада27 ns
Ширина9.2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль