IXTA06N120P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-263 (IXTA), инфо: Транзистор полевой N-канальный 1200В 0.6AN-канал 1200 В 600 мА (Tc) 42 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-263 (IXTA)
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c600mA (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-263 (IXTA), инфо: Транзистор полевой N-канальный 1200В 0.6AN-канал 1200 В 600 мА (Tc) 42 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-263 (IXTA)
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c600mA (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs13.3nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds270pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
power dissipation (max)42W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs32Ohm @ 300mA, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesPolarVHVв„ў ->
supplier device packageTO-263 (IXTA)
technologyMOSFET (Metal Oxide)
вес, г2.1
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 50ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль